Розроблено новий тип магнітної пам’яті, який заснований на ефекті індукованого SOT-перемикання
Протягом декількох десятиліть вчені намагалися розробити ефективну магнітну пам’ять з довільним доступом (magnetic random access memory, MRAM), в якій інформація зберігається у вигляді напрямку намагніченості частинки магнітного матеріалу. Так як намагніченість матеріалу може бути змінена з дуже великою швидкістю, такий тип пам’яті розглядається в якості заміни напівпровідникової статичної пам’яті (SRAM) і динамічної пам’яті (DRAM). Однак, при створенні комірок MRAM-пам’яті різного типу вчені стикалися з низкою досить складних проблем. Дослідницька група з університету Тохоку (Tohoku University), очолювана професором Хідео Оно (Hideo Ohno) і ад’юнкт-професором Сюнсуке Фукамі (Shunsuke Fukami), розробила структуру комірок нового типу магнітної пам’яті, заснованих на ефекті індукованого спін-орбітального моменту (spin-orbit-torque, SOT), який забезпечує швидке перемикання намагніченості комірки.