Розроблено новий тип магнітної пам’яті, який заснований на ефекті індукованого SOT-перемикання

 magnit pamyat SOTПротягом декількох десятиліть вчені намагалися розробити ефективну магнітну пам’ять з довільним доступом (magnetic random access memory, MRAM), в якій інформація зберігається у вигляді напрямку намагніченості частинки магнітного матеріалу. Так як намагніченість матеріалу може бути змінена з дуже великою швидкістю, такий тип пам’яті розглядається в якості заміни напівпровідникової статичної пам’яті (SRAM) і динамічної пам’яті (DRAM). Однак, при створенні комірок MRAM-пам’яті різного типу вчені стикалися з низкою досить складних проблем. Дослідницька група з університету Тохоку (Tohoku University), очолювана професором Хідео Оно (Hideo Ohno) і ад’юнкт-професором Сюнсуке Фукамі (Shunsuke Fukami), розробила структуру комірок нового типу магнітної пам’яті, заснованих на ефекті індукованого спін-орбітального моменту (spin-orbit-torque, SOT), який забезпечує швидке перемикання намагніченості комірки.

Технологія індукованого SOT-перемикання намагніченості є досить новою технологією, яка лише останнім часом була вивчена досить добре. Перемикання намагніченості комірки пам’яті проводиться шляхом впливу електричного струму, який протікає через комірку, на орбіти обертання електронів атомів матеріалу, а саме – перемикання може проводитися дуже швидко, у часовій шкалі, що обчислюється наносекундами.

У своїх дослідженнях група професора Хідео Оно розробила елемент пам’яті, структура якої досить кардинально відрізняється від структур подібних комірок, створених раніше, в яких використовувалися дві незалежних схеми, що переключають напрямок намагніченості на паралельний і перпендикулярний. У новій комірці є не чотири, а три електрода, які з’єднуються зі структурою магнітного тунельного переходу, що складається з різних матеріалів – Ta/CoFeB/MgO.

В ході випробувань створених зразків комірок пам’яті вчені продемонстрували, що розроблена ними технологія здатна забезпечити швидке перемикання напрямку намагніченості. Крім цього, щільність електричного струму, потрібного для перемикання, мала і знаходиться в розумних межах, а різниця в опорі комірок з записаними в них логічними 1 і 0 досить велика для забезпечення надійної роботи. Та все це робить нові комірки магнітної пам’яті вельми перспективними кандидатами на практичне втілення технологій MRAM-пам’яті, яка здатна зберігати інформацію тривалий час при відсутності енергії із зовнішнього джерела.

Як повідомляє ecnmag.com, подальші дослідження процесів, що протікають в комірках магнітної пам’яті нового типу, можуть стати інструментом, який дозволить вченим досконало вивчити всі особливості SOT-перемикання напрямку намагніченості, процесу, у фізиці якого поки ще залишається безліч “білих плям”.

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

July 2025
Mo Tu We Th Fr Sa Su
30 1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30 31 1 2 3

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

«Сонячний» літак вирушив у першу міжконт…

28-05-2012 user_kiev_3 - avatar user_kiev_3

Експерементальний літак на сонячних батареях Solar Impulse вирушив у свій перший міжконтинентальний політ зі Швейцарії до Марокко.

Покрытия, которые изменят мир

20-10-2012 Олена - avatar Олена

 Опубликовано 19 октября, 2012 - 04:01 24–25 октября в рамках конференции «Россварка» ЗАО «Плакарт» проводит конференцию «Актуальность и сферы применения технологий газотермического напыления и наплавки». Конференция открыта для всех желающих и...

Фонд "Наука і освіта" запрошує…

17-02-2014 Anna - avatar Anna

Фонд "Наука і освіта" запрошує взяти участь в наукових заходах

Фонд "Наука і освіта" та його партнери запрошують взяти участь в наукових заходах, які проводитимуться в курортному селищі Елените, Болгарія впродовж 2014 року. Усі представлені документи будуть опубліковані у відкритому...