Створено найменший у світі світлодіод, який має товщину всього в три атома

  Diod   Вчені з Вашингтонського університету розробили надмініатюрний світлодіод, який є найменшим джерелом світла на сьогоднішній день і товщина якого складає всього три атома.
    Практично в будь-якій сучасній електроніці, починаючи від телевізорів, планшетних комп'ютерів, смартфонів і закінчуючи крихітними електронними пристроями, використовуються світлодіодні джерела світла, світлодіоди ( Light - Emitting Diode, LED).

    Світлодіод є напівпровідниковим пристроєм, які випромінює світло певної довжини хвилі під впливом електричного струму, що протікає через нього. Оскільки останнім часом все більш явно простежується тенденція до подальшої мініатюризації електроніки, з'являється більший попит на напівпровідникові прилади маленького розміру, що споживають менше енергії, але володіють характеристиками «повнорозмірних» приладів. Рухаючись у цьому напрямку, вчені з Вашингтонського університету розробили надмініатюрний світлодіод, який є найменшим джерелом світла на сьогоднішній день і товщина якого складає всього три атома. Структура цього світлодіода має гнучкість, зберігаючи при цьому високу механічну міцність. Розробникам вдалося досягти мінімальних розмірів, які можливо отримати з урахуванням існуючого рівня розвитку технологій.
    "Такі тонкі, гнучкі і мініатюрні світлодіоди призначені для використання в гнучких комп'ютерах та інших електронних пристроях майбутнього"- розповідає Ксіеодонг Ксу (Xu Сяодун ), професор матеріалознавства і фізики з Вашингтонського університету.
   Це величезний скачок вперед у напрямку мініатюризації сучасної електроніки, адже за допомогою мініатюрного світлодіода можна зробити все те, що дозволяють зробити сучасні кремнієві "тривимірні" світлодіоди.
    Мініатюрний світлодіод виготовлений із плівок «двомірного» матеріалу, діселініда вольфраму, який відноситься до групи двомірних напівпровідникових матеріалів. Плівки діселініда вольфраму були виготовлені вченими за допомогою звичайної ізоляційної стрічки і методу, за який Андрію Гейму і Костянтину Новосьолову була присуджена Нобелівська премія з фізики 2010 року.
   Основною сферою застосування мініатюрних світлодіодів дослідники вважають реалізацію технології оптичних комунікацій в межах одного чіпа, яка повинна замінити традиційну передачу сигналів у вигляді електричного струму, що поширюється по металевих провідникам.
    В даний час група вчених працює в напрямку підвищення ефективності монетарних світлодіодів, пробуючи різні комбінації двомірних напівпровідникових матеріалів. Крім цього паралельно ведеться розробка технології, за допомогою якої можна буде виготовляти мініатюрні світлодіоди прямо на кристалах напівпровідникових чіпів або наносити їх матриці на тонкоплівкову основу.

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

November 2025
Mo Tu We Th Fr Sa Su
27 28 29 30 31 1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

В Україні запущена перша ядерна установк…

23-03-2016 Олена - avatar Олена

В Україні запущена перша ядерна установка світового значення, розроблена українськими фахівцями – Президент на зустрічі з фізиками-ядерниками у Харкові

Під час робочої поїздки до Харківської області Петро Порошенко відвідав Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», де ознайомився з роботою ядерної установки в режимі комплексного випробування та проектом зі створення...

Пошкодження матеріалів під час експлуата…

15-06-2015 Anna - avatar Anna

Країна: Україна Місто: Тернопіль Дедлайн: 01.07.2015 Дата початку: 21.09.2015 Дата закінчення: 25.09.2015 Галузь наук: Технические; Тип конференції: Международные; E-mail Оргкомітету: snt@tu.edu.te.ua; laboratory22b@gmail.com Організатори: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя та інші.

Конкурс на здобуття щорічних премій През…

21-12-2015 Олена - avatar Олена

Конкурс на здобуття щорічних премій Президента України для молодих учених

Лист НАН України про оголошення конкурсу №9к/2152-8 від 18.12.2016 р. Указом Президента України від 12.06.2000 №779 (з наступними змінами) встановлено 40 щорічних премій Президента України для молодих учених (далі – щорічні премії)...