17 жовтня 2013 р. під час проведення VI Міжнародного форуму «Комплексне забезпечення лабораторій» та виставки «LABComplEX 2013» в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України відбудеться відкриття Центру рентгенівської дифракції.
Засновниками Центру рентгенівської дифракції є Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України і компанія «Термо Техно» - офіційний представник корпорації Thermo Fisher Scientific (Швейцарія).
Під час відкриття відбудеться науково-практичний семінар «Сучасний кількісний рентгенофазовий аналіз матеріалів» та демонстрація можливостей центру.
Центр створюється на базі відділу дифракційних досліджень структури напівпровідників інституту. Сучасне аналітичне обладнання центру дозволить аналізувати широкий спектр органічних та неорганічних матеріалів природного і синтетичного походження, серед яких: природні кристали, цеоліти і мінерали, напівпровідники, полімери, фармацевтичні препарати, метали і сплави, цемент і будівельні матеріали, вогнетриви, пігменти, кераміку і покриття та багато інших речовин матерії конденсованого стану.
Мета заходу – демонстрація сучасного наукового обладнання, яке може бути використано вченими і промисловцями України для наукових та технологічних потреб.
На відкриття запрошені представники Кабінету Міністрів України, члени Президії НАН України, керівники і вчені інститутів НАН України, керівники і науковці вищих навчальних закладів, представники криміналістичної служби МВС, МНС України, а також від промисловості, у тому числі представники та науковці фармацевтичної галузі.
Програма:
• 12:30 – вітальне слово директора Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України академіка НАН України В.Ф. Мачуліна
• 12:45 – доповідь С.В. Хохлова «Розвиток програми «Наука і освіта». Присвячується відкриттю Центру рентгенівської дифракції»
• 13:00 – науково-практичний семінар «Сучасний кількісний рентгенофазовий аналіз матеріалів»
• 15:00 – демонстрація можливостей рентгенівського дифрактометра X’tra: застосування текстурної, температурної приставок
Місце проведення заходу:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, просп. Науки, 41).
Матеріали опублікували: Прес-служба НАН України
Олена