Запрошуємо на семінар!

Yvaga31 березня 2016 року Державна служба інтелектуальної власності України спільно з Державним підприємством «Український інститут інтелектуальної власності» (Укрпатент) проводить семінар на тему «Особливості проведення експертизи заявок на винаходи, корисні моделі та топографії інтегральних мікросхем».

Семінар відбудеться на безоплатній основі.

Місце проведення: актова зала Укрпатенту (м. Київ, вул. Глазунова, 1).

Час проведення: початок семінару о 10:00, реєстрація учасників – з 9:30.

Для участі в семінарі необхідно надіслати до Оргкомітету Укрпатенту заповнену Реєстраційну карту учасника (ів) до 28 березня 2016 року. Реєстрація є автоматичною та не потребує додаткового підтвердження.

Реєстраційну карту учасника (ів) слід надсилати на електронну адресу Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. або факсом +380 (44) 494 05 27.

ПРОГРАМА СЕМІНАРУ (139 КБ, PDF)

 

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

November 2025
Mo Tu We Th Fr Sa Su
27 28 29 30 31 1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

Looking through the opaque screen for sh…

07-12-2012 Светлана - avatar Светлана

Taking images through opaque, light-scattering layers is a vital capability and essential diagnostic tool in many disciplines, including nanotechnology and the biosciences. Current techniques are unable to image through opaque...

Дайджест новин у сфері науки та інноваці…

20-03-2013 Олена - avatar Олена

Дайджест новин у сфері науки та інновацій за 15-20.03.2013 СКАЧАТИ Дайджест новин у сфері науки та інновацій – це збірник останніх новин у сфері науки та інновацій, які відбулися в Україні та...

Разработан прототип транзистора Мотта

01-10-2012 Олена - avatar Олена

 Опубликовано 1 октября, 2012 - 00:00 Японские исследователи разработали прототип «транзистора Мотта», который в случае его внедрения в современную электронику существенно повысит её энергоэффективность, увеличив при этом скорость переключения.