Китай вивів на орбіту стереотопографічний супутник

Запуск здійснили у неділю о 15:10 за пекінським часом із космодрому Цзюцюань за допомогою ракети-носія "Великий Похід-2Г".

 Про це повідомляє власний кореспондент УКРІНФОРМу.

 "Супутник призначений головним чином для проведення наукових експериментів, дослідження земельних і природних ресурсів, картографічної роботи, а також гратиме активну роль у розвитку наукових досліджень та народного господарства Китаю", - розповіли в Центрі управління польотами.

 Раніше аналогічний за функціями апарат, Tianhui I, було запущено у серпні 2010 року.

 Для ракетоносія серії "Великий Похід" нинішній запуск став 161-им.

 Ольга Танасійчук, ПЕКІН. 6 травня 2012 року.

<a href="http://www.ukrinform.ua/ukr/news/kitay_viviv_na_orbitu_stereotopografichniy_suputnik_1725094">Укрінформ</a>

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

April 2026
Mo Tu We Th Fr Sa Su
30 31 1 2 3 4 5
6 7 8 9 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 1 2 3

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

У столиці пройде другий Молодіжний іннов…

23-10-2012 Олена - avatar Олена

23.10.2012 | 18:42 Київська МДА 24 жовтня у Колонній залі Київської міської державної адміністрації відбудеться другий Молодіжний інноваційний форум.

Кабінет Міністрів України затвердив План…

25-01-2012 Олена - avatar Олена

25 січня 2012 року на засіданні Кабінету Міністрів України прийнято розпорядження Кабінету Міністрів України "Про затвердження плану заходів щодо виконання Концепції реалізації державної політики у сфері космічної діяльності на період...

Американские учёные изготовили транзисто…

21-05-2012 user_kiev_3 - avatar user_kiev_3

При помощи оригинального метода американские учёные синтезировали графен необычной формы. Изготовив на базе полученной структуры транзистор, исследователи сделали вывод о высоком качестве материала.