Зарегистрирован нетрадиционный эффект Джозефсона

 

В контакте, изготовленном авторами работы, роль «слабого звена» сыграл необычный материал – селенид висмута Bi2Se3. Его относят к так называемым топологическим изоляторам (ТИ), в объёме которых существует запрещённая зона, а на поверхности – металлическое состояние, гораздо более устойчивое, чем поверхностные электронные состояния в традиционных диэлектриках. ТИ имеют много общего с графеном: электроны в обоих видах материалов могут вести себя как безмассовые частицы и характеризуются линейной зависимостью энергии от импульса.

Выбор Bi2Se3 объясняется тем, что джозефсоновские контакты с ТИ, согласно предсказаниям теоретиков, могут поддерживать электронные возбуждения, которые ведут себя подобно майорановским фермионам. «Реальные» фермионы этого типа, рассмотренные Этторе Майораной более семидесяти лет назад, должны быть элементарными частицами, тождественными своим античастицам.

Отыскать примеры таких частиц (скажем, доказать, что нейтрино имеет майорановскую природу) пока не удаётся, а потому специалисты и проявляют интерес к модельным твердотельным системам, в которых могут появляться майорановские моды.

Вычисления показывают, что в контакте Джозефсона «майорановские фермионы» организуются в одномерный «провод» между сверхпроводящими выводами, обозначенный стрелками на рисунке ниже. Зная об этом, экспериментаторы пытались обнаружить какие-нибудь странности в поведении контактов с ТИ, но ничего определённого до сих пор не находили.

Рис. 1. Схема джозефсоновского контакта с ТИ (иллюстрация из журнала Physical Review Letters).

Американцы, напротив, наблюдали нестандартный эффект Джозефсона, отличающийся от типового как минимум по двум параметрам. Первым из них стало произведение ICRN, где IC — критический ток, максимальная величина постоянного тока, при протекании которого сверхпроводники не переходят в нормальное (несверхпроводящее) состояние, а RN — сопротивление в нормальном состоянии. Значение ICRN не должно сильно отходить от Δ/e (отношения ширины сверхпроводящей щели двух выводов в контакте Δ к заряду электрона e) и зависеть от геометрии устройства.

Вторым параметром оказался характерный колебательный отклик критического тока на включение магнитного поля, приложенного перпендикулярно. Определённый набор значений индукции поля должен обращать IC в ноль.

Для опытов учёные подготовили несколько джозефсоновских контактов с длиной L, которая варьировалась от 20 до 80 нм, и шириной W, изменявшейся от 0,5 до 3,2 мкм. На графике ниже показаны результаты измерений — зависимость напряжения от приложенного постоянного тока — для устройства с (L, W) = (45 нм, 1 мкм) при температуре в 12 мК. Когда магнитное поле отсутствует, мы можем наблюдать обычную работу джозефсоновского контакта: если ток уступает IC = 850 нА, напряжение равно нулю, а через устройство протекает сверхпроводящий ток. При включении магнитного поля величина IC уменьшается, и в тот момент, когда индукция достигает 10 мТл, выводы переходят в нормальное состояние, а кривая на графике превращается в прямую.

Рис. 2. Работа джозефсоновского контакта (иллюстрация из журнала Physical Review Letters).

Объединение этих результатов с измерением RN, однако, дало совсем небольшое значение ICRN (30,6 мкВ), на порядок отличавшееся от расчётного. Другие контакты с ТИ вели себя примерно так же; кроме того, при сравнении данных авторы обнаружили явную зависимость ICRN от W.

Первый минимум IC в экспериментах также приходился на меньшую индукцию поля, чем можно было ожидать, глядя на площадь контактов.

По словам физиков, опубликовавших отчёт об экспериментах в журнале Physical Review Letters, объяснить все эти странности может только модель, которая учитывает майорановские состояния.

Новая работа, таким образом, подтверждает выводы голландской группы, изучавшей гибридные устройства с полу- и сверхпроводящими элементами. Весной этого года голландцы также сообщали о появлении «майорановских фермионов».

Источник(и):

1. Американское физическое общество

2. compulenta.ru

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

December 2024
Mo Tu We Th Fr Sa Su
25 26 27 28 29 30 1
2 3 4 5 6 7 8
9 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30 31 1 2 3 4 5

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

Компанія Intel поінформувала про план за…

21-09-2012 Светлана - avatar Светлана

Вже наступного року компанія Intelрозпочне випуск процесорів за технологією 14 нм, повідомляє на своєму веб-сайті сама компанія. Щодо процесорів з транзисторами на 10 нм, то вони масово почнуть використовуватися у...

Інноваційно-інвестиційний шлях розвитку …

17-10-2012 Олена - avatar Олена

нноваційно-інвестиційний підхід до модернізації вітчизняних підприємств, запровадження новітніх технологій є запорукою розвитку країни. На цьому наголосив Президент України Віктор Янукович під час наради з адміністративно-господарським активом Луганської області.

Науково-практична конференція молодих уч…

16-11-2015 Олена - avatar Олена

Науково-практична конференція молодих учених і спеціалістів «Інноваційні розробки молодих учених для конкурентоспроможного аграрного виробництва»

10-12 листопада 2015 року в Національному науковому центрі “Інститут землеробства НААН” відбулась науково-практична конференція молодих учених і спеціалістів «Інноваційні розробки молодих учених для конкурентоспроможного аграрного виробництва». В роботі конференції взяли участь...