Разработан прототип транзистора Мотта

 

Идеальный транзистор должен быть полным изолятором в выключенном состоянии и идеальным проводником в рабочем режиме. Поэтому исследователи решили использовать в своей конструкции так называемые изоляторы Мотта. Последние ведут себя как металлы, но при определённых условиях становятся изоляторами, что объясняется квантовомеханическим взаимодействием между соседними электронами в их атомах.

Подобным переключением состояния от «металлического» к «диэлектрическому» можно управлять разными методами, в частности приложением к изолятору Мотта электрического поля. При этом разница в проводимости может меняться в существенно более широких пределах, чем в современных полупроводниках.

Рис. 1. Слева — обычный полевой транзистор с поверхностным проводящим каналом; справа — транзистор на основе изолятора Мотта, с проводящим каналом большой глубины. (Иллюстрация M. Nakano et al).

При создании прототипа транзистора Мотта учёные покрыли слой диоксида ванадия (изолятора Мотта) каплей ионной жидкости. При приложении даже весьма небольшого напряжения к затвору транзистора на поверхности такого изолятора, покрытого ионной жидкостью, сразу возникало весьма значительное электрическое поле. Что интересно, изменение фазового стояния с металлического на диэлектрическое произошло при этом не только на поверхности изолятора, но и в его глубине — по всей видимости, за счёт какой-то не вполне ясной пока разновидности каскадного эффекта, при котором изменение фазового состояния в материале распространяется как волна.

В итоге удалось получить соотношение тока в рабочем и нерабочем состоянии транзистора, равное 100:1. Да, это ничто на фоне современных полевых транзисторов (1 000 000: 1), но вся разница здесь в том, что у нынешнего транзистора такой скачок возможен лишь для очень тонкого слоя материала, в то время как в транзисторе Мотта изменение состояния произошло сразу на большую глубину (в толстом слое материала), позволяя пропускать через него огромное количество электронов. И это не говоря о том, что современные транзисторы являются результатом десятилетий оптимизации, а первый успешный прототип транзистора Мотта — всего лишь экспериментальный образец.

Источник(и):

1. physicsworld.com

2. compulenta.ru

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

March 2026
Mo Tu We Th Fr Sa Su
23 24 25 26 27 28 1
2 3 4 5 6 7 8
9 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30 31 1 2 3 4 5

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

Відбувся візит делегації ЦЕРН до міста К…

16-03-2015 Anna - avatar Anna

Відбувся візит делегації ЦЕРН до міста Києва.

З метою обговорення механізму подальших шляхів співпраці у рамках Угоди між Україною та Європейською організацією ядерних досліджень стосовно надання статусу асоційованого члена в ЦЕРН з 10 по 12 березня 2015...

Швейцарські науковці створили штучні мол…

04-04-2016 Олена - avatar Олена

Швейцарські науковці створили штучні молекули

Команда науковців зі Швейцарської вищої школи Цюріха розробила нову методику, яка надасть можливість створювати складно структуровані об'єкти. Про це пише інтернет-ресурс Eurekalert. Розмір об'єктів становить всього кілька мікрометрів. Після виготовлення такі...

Intel совершенствует технологии защиты д…

11-06-2012 Светлана - avatar Светлана

Корпорация Intel совместно с партнерами разрабатывает технологии защиты конфиденциальных данных, хранимых на мобильный ПК под торговой маркой Ultrabook. Предполагается, что использование аппаратных функций, ПО и специальных сервисов позволят лучше защитить...