Разработан прототип транзистора Мотта

 

Идеальный транзистор должен быть полным изолятором в выключенном состоянии и идеальным проводником в рабочем режиме. Поэтому исследователи решили использовать в своей конструкции так называемые изоляторы Мотта. Последние ведут себя как металлы, но при определённых условиях становятся изоляторами, что объясняется квантовомеханическим взаимодействием между соседними электронами в их атомах.

Подобным переключением состояния от «металлического» к «диэлектрическому» можно управлять разными методами, в частности приложением к изолятору Мотта электрического поля. При этом разница в проводимости может меняться в существенно более широких пределах, чем в современных полупроводниках.

Рис. 1. Слева — обычный полевой транзистор с поверхностным проводящим каналом; справа — транзистор на основе изолятора Мотта, с проводящим каналом большой глубины. (Иллюстрация M. Nakano et al).

При создании прототипа транзистора Мотта учёные покрыли слой диоксида ванадия (изолятора Мотта) каплей ионной жидкости. При приложении даже весьма небольшого напряжения к затвору транзистора на поверхности такого изолятора, покрытого ионной жидкостью, сразу возникало весьма значительное электрическое поле. Что интересно, изменение фазового стояния с металлического на диэлектрическое произошло при этом не только на поверхности изолятора, но и в его глубине — по всей видимости, за счёт какой-то не вполне ясной пока разновидности каскадного эффекта, при котором изменение фазового состояния в материале распространяется как волна.

В итоге удалось получить соотношение тока в рабочем и нерабочем состоянии транзистора, равное 100:1. Да, это ничто на фоне современных полевых транзисторов (1 000 000: 1), но вся разница здесь в том, что у нынешнего транзистора такой скачок возможен лишь для очень тонкого слоя материала, в то время как в транзисторе Мотта изменение состояния произошло сразу на большую глубину (в толстом слое материала), позволяя пропускать через него огромное количество электронов. И это не говоря о том, что современные транзисторы являются результатом десятилетий оптимизации, а первый успешный прототип транзистора Мотта — всего лишь экспериментальный образец.

Источник(и):

1. physicsworld.com

2. compulenta.ru

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

December 2025
Mo Tu We Th Fr Sa Su
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31 1 2 3 4

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

Відкрито новий конкурс програми Дій Марі…

17-02-2015 Anna - avatar Anna

Відкрито новий конкурс програми Дій Марі Склодовської-Кюрі - RISE

6 січня 2015 р. Європейська комісія опублікувала конкурс у рамках програми Дії Марі Склодовської-Кюрі «Обмін науково-інноваційними кадрами» (Research and Innovation Staff Exchange (RISE). Головні риси RISE: міжнародний і міжгалузевий обмін кадрами...

Международная научно-техническая конфере…

15-06-2015 Anna - avatar Anna

Страна: Украина Город: Киев Дедлайн: 01.07.2015 Дата начала: 06.10.2015 Дата окончания: 09.10.2015 Область наук: Технические; Тип конференции: Международные; E-mail Оргкомитета: nadiynist@ipp.kiev.ua, victan@ipp.kiev.ua Организаторы: Інститут проблем мiцностi iменi Г.С.Писаренка Нацiональної академiї наук України та інші.

15-я научная молодежная школа «Физика и …

01-06-2012 Светлана - avatar Светлана

2 сентября 2012 года, Санкт-Петербург 2 сентября 2012 года состоится Пятнадцатая научная молодёжная школа «Физика и технология микро- и наносистем. Карбид кремния и родственные материалы».