Разработан прототип транзистора Мотта

 

Идеальный транзистор должен быть полным изолятором в выключенном состоянии и идеальным проводником в рабочем режиме. Поэтому исследователи решили использовать в своей конструкции так называемые изоляторы Мотта. Последние ведут себя как металлы, но при определённых условиях становятся изоляторами, что объясняется квантовомеханическим взаимодействием между соседними электронами в их атомах.

Подобным переключением состояния от «металлического» к «диэлектрическому» можно управлять разными методами, в частности приложением к изолятору Мотта электрического поля. При этом разница в проводимости может меняться в существенно более широких пределах, чем в современных полупроводниках.

Рис. 1. Слева — обычный полевой транзистор с поверхностным проводящим каналом; справа — транзистор на основе изолятора Мотта, с проводящим каналом большой глубины. (Иллюстрация M. Nakano et al).

При создании прототипа транзистора Мотта учёные покрыли слой диоксида ванадия (изолятора Мотта) каплей ионной жидкости. При приложении даже весьма небольшого напряжения к затвору транзистора на поверхности такого изолятора, покрытого ионной жидкостью, сразу возникало весьма значительное электрическое поле. Что интересно, изменение фазового стояния с металлического на диэлектрическое произошло при этом не только на поверхности изолятора, но и в его глубине — по всей видимости, за счёт какой-то не вполне ясной пока разновидности каскадного эффекта, при котором изменение фазового состояния в материале распространяется как волна.

В итоге удалось получить соотношение тока в рабочем и нерабочем состоянии транзистора, равное 100:1. Да, это ничто на фоне современных полевых транзисторов (1 000 000: 1), но вся разница здесь в том, что у нынешнего транзистора такой скачок возможен лишь для очень тонкого слоя материала, в то время как в транзисторе Мотта изменение состояния произошло сразу на большую глубину (в толстом слое материала), позволяя пропускать через него огромное количество электронов. И это не говоря о том, что современные транзисторы являются результатом десятилетий оптимизации, а первый успешный прототип транзистора Мотта — всего лишь экспериментальный образец.

Источник(и):

1. physicsworld.com

2. compulenta.ru

Регіони

Vinnytsya Lutsk Dniepropetrivsk Donetsk Zhytomyr Uzhgorod Zaporizhzhya Ivanofrankivsk Kyivska Kyrovograd Crimea Lugansk Lviv Mykolaiv Odessa Poltava Rivne Sumy Ternopil Kharkiv Kherson Khmelnytsky Cherkasy Chernigiv Chernivtsi
Київ

Публікації

January 2026
Mo Tu We Th Fr Sa Su
29 30 31 1 2 3 4
5 6 7 8 9 10 11
12 13 14 15 16 17 18
19 20 21 22 23 24 25
26 27 28 29 30 31 1

 

Випадкова стаття

  • 1
  • 2
  • 3

Президент України призначив державні сти…

29-11-2012 user_kiev_3 - avatar user_kiev_3

29 листопада 29 листопада 2012 року Президент України Віктор Янукович підписав Указ № 660/2012 «Про призначення державних стипендій видатним діячам науки».

Відбулося громадське обговорення Концепц…

01-04-2014 Anna - avatar Anna

Відбулося громадське обговорення Концепції розвитку Національної академії наук України на 2014-2023 роки

28 березня 2014 року Комітетом Верховної Ради України з питань науки і освіти проведено обговорення Концепції розвитку Національної академії наук України в контексті змін до законодавства України у науково-технічній сфері....

База даних стейкхолдерів у сфері енергет…

13-01-2015 Anna - avatar Anna

База даних стейкхолдерів у сфері енергетичної ефективності, відновлюваної енергетики та біоекономіки в рамках проекту Danube-INCO.NET

Проект Danube-INCO.NET функціонує з січня 2014 року. Він фінансується Сьомою Рамковою Програмою (FP7) ЄС та спрямований на підтримку Стратегії ЄС для Дунайського регіону (EUSDR) в галузі досліджень та інновацій (R&I)....