Память ReRAM (или RRAM) совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND.
Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи.
Специалистам из Университетского колледжа Лондона, как сообщается, удалось получить первый в мире чип ReRAM на основе оксида кремния, способный функционировать при обычных условиях. Другие похожие изделия работоспособны только в вакууме, что ограничивает сферу их применения.
Рис. 1. Микрочип памяти ReRAM (изображение Университетского колледжа Лондона).
Исследователи подчёркивают, что новый микрочип по сравнению с флеш-памятью требует в 1 000 раз меньше энергии и обеспечивает 100-кратный прирост производительности.
Предложенная технология также открывает путь к созданию прозрачных чипов памяти.
Предполагается, что в перспективе микросхемы ReRAM будут использоваться в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах, видеокамерах, различных мобильных устройствах и пр.
Источник(и):
1. Университетский колледж Лондона
2. compulenta.ru
Олена
Anna
